Page 25 - 海洋科技博物館 前沿專輯成果專刊

前瞻二維半導體材料及光學檢 過渡金屬二硫化物的二倍頻現 測象
由高中基礎物理、化學課綱出發，進行循序漸 進的教學，以期學習者可以理解前瞻二維半導體材 料及光學檢測方法，並搭配影音的說明。
模擬二維材料的極化影像
重點:過渡金屬二硫族化物、六方晶系結構、 光的極化、光的干涉。
功能:單層的過渡金屬二硫族化物為六方晶系 結構，由於結構的非中心對稱性，能產生特殊的二 倍頻現象，經由設計，其二倍頻光的極化特性可以 利用極化片與膠帶來模擬，設計概念可擴充到更多 二維材料，深耕一般大眾基本科技素養，培育未來 奈米材料技術人才。
特色:過渡金屬二硫族化物屬於二維奈米材料， 僅為一層分子所組成，厚度只有 0.7 奈米，且過渡 金屬二硫族化物具有半導體特性，其在光學元件上 有極高的應用價值。
由高中基礎物理、化學課綱出發，進行循序漸 進的教學，以期學習者可以理解單層的過渡金屬二 硫族化物為六方晶系結構，由於結構的非中心對稱 性，使其與脈衝雷射交互作用後，產生特殊的二倍 頻現象，並可利用二倍頻光的極化方向來決定晶體 的晶軸方向與晶粒的大小，並搭配影音的說明。
半導體材料故障分析電子書
現今半導體積體電路技術已達 14 奈米量產紀 元，一顆先進晶片每個電晶體的尺寸比一般的病毒 還小。在如此微小的境界下，種種潛在的製程、材 料與結構的因素都有可能造成晶片失效，導致生產 良率下降。因此發展敏銳與快速的檢測分析方法， 並據以有效正確分析故障的原因，是半導體奈米技 術發展成功的關鍵。藉由各種電性及物性故障分析 工具，包括穿透式電子顯微鏡、掃描式電子顯微鏡、 砷化鎵銦微光顯微鏡及奈米級探針量測等設備，分 析找出 IC 故障位置不良所在，藉以瞭解電子產品開 發及改進的作為。
奈米科技創新教育資源之研發與推廣中心
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